| 型号： | STS4C3F60L | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| STS4C3F60L PDF |  |
| 产品目录绘图 | ST Series 8-SOIC, 8-TSSOP |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | STripFET™ |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A，3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 55 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1030pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | 497-4396-6 |